主讲人：张保平教授（厦门大学）
题目：GaN基VCSEL研究
时间：2022年06月9日上午：09:00-09:30
地点：腾讯会议号：570-395-951
邀请人：田永辉
报告摘要：
基于第三代半导体GaN的VCSEL在照明、微型显示、神经和细胞医学成像、治疗、海底定位探测等方面有极大的潜在应用前景。GaN基VCSEL于2008年首次获得电泵激射，目前有日亚、松下、索尼和斯坦雷电气等跨国企业和其他科研单位参与到器件的研发。国际上VCSEL的性能已经接近实用化水平。蓝光VCSEL的进展迅速，而绿光VCSEL方面，由于 “green gap”的存在，进展相对缓慢。
厦门大学是大陆唯一实现了电注入GaN 基VCSEL 的科研单位，经过长期努力，于2014 年获得了电泵蓝紫光VCSEL 激射；针对绿光VCSEL，提出两种解决方案：第一个方案是通过采用量子点结构，在国际上首次获得了“green gap”内的绿色发光VCSEL，并且实现了室温连续激射。第二个方案是采用蓝光量子阱与谐振腔相结合，利用量子阱中的近绿光局域态和谐振腔的谐振模式之间的耦合机制，实现了近绿光室温连续激射VCSEL。基于优质的谐振腔和耦合量子阱结构，在国际上首次观察到了InGaN量子阱中的激子极化激元并获得了激射。研究了深紫外（UVC）波段谐振腔的光损耗机制，获得了最短波长（276 nm）VCSEL激射。
本报告将主要介绍GaN基VCSEL的研究现状和我们的相关研究成果。
个人简介：
张保平，1983年本科毕业于兰州大学物理系，1986年于中国电子科技集团第十三研究所获得硕士学位，1986-1989年在十三所工作。1994年于日本东京大学工学部获得博士学位。1994-2005年在日本学习工作，主要在理化学研究所和夏普公司进行半导体材料的外延生长、检测与器件研制。2006年加入厦门大学，任闽江学者特聘教授至今，现任电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）副院长。主持国家863项目，国家重点研发计划政府间科技创新合作项目，基金委重点和面上项目，科工局基础科学挑战专题等。目前主要进行第三代半导体GaN材料与器件研究。在大陆首先实现了GaN半导体VCSEL激射；提出了两种制作绿光VCSEL的制作方案：国际上首次实现UVC波段VCSEL激射和InGaN量子阱激子极化激元激射。入选爱思唯尔（Elsevier）社发布的2014~2020年中国高被引学者榜单。任”Semiconductor Science and Technology”执行编辑，《发光学报》等编委。
