应兰州大学物理学院黄亮教授邀请，北京大学信息科学技术学院电子系康宁副教授近日来访并作学术报告。欢迎广大师生届时参加！

题 目：基于低维III-V 族半导体纳米结构与超导复合器件的量子输运研究

报 告人：康宁副教授

时间：2019年12月12日上午10点

地点：格致楼4022

联系人：黄亮教授

报告摘要

具有强自旋轨道耦合的低维 III-V 族半导体材料与超导材料复合器件的输运特性呈现出丰富的量子现象，使其成为探索新物性，研制新型拓扑量子器件的理想体系。近期我们采用高迁移率的III-V 族半导体纳米线和纳米片，与超导电极结合构筑介观复合器件，探索受限小量子结构与超导界面的调控方案，结合极低温和强磁场的测量环境，实现了对不同基态的 Andreev 束缚态的电场调控。采用高临界场的超导电极，我们实现了器件中近邻效应诱导的超导电性和量子霍尔态的共存。在共存的区间内，我们观测到量子霍尔平台电导的增加及特征的零偏压电导峰。这些研究对基于具有强自旋轨道耦合的低维半导体纳米材料制作可扩展的拓扑超导器件具有重要意义。

个人简介

本科毕业于南京大学物理系，中国科学院物理研究所获得理学博士学位。现北京大学电子系任职副教授。研究领域集中在极低温、强磁场和高压的极端物理条件下低维电子体系及其量子器件的输运性质研究。近期研究主要集中在基于超导-纳米线复合结构的拓扑量子器件研制，和介观超导结构的量子输运性质研究，其中多项成果以通讯作者或第一作者在 Nature Materials，Nano Letters, Physical Review B等期刊上发表。