应物理科学与技术学院邀请，南京邮电大学朱刚毅副教授来我院交流，并做学术报告，届时欢迎广大师生参加！

主讲人：朱刚毅 副教授

题目：GaN微腔激光特性研究

时间：2020年11月13日下午16:30

地点：格致楼3005

联系人：田永辉

摘要：硅基光电集成技术是未来信息技术的基础，但是，硅基片上光源是硅基光电子集成技术的实用化的主要障碍。氮化镓(GaN)基回音壁（WGM）激光具有高品质因子(Q)和低阈值等优异的光学特性，具有广泛的应用前景。本文利用微纳加工工艺制备悬空的GaN微腔器件，在研究光泵浦微腔激光的基础上，通过优化结构，减小光学损耗，提高微腔区的发光增益，尝试进行电泵浦GaN微腔激光的研究，获得了初步结果。这种新型的微腔器件制备方法对于提高器件的光学特性和通信特性具有非常重大的意义，有利于实现更高密度的光电集成。

简介：朱刚毅，男，副教授，1980年12月生，2013年6月于东南大学电子科学与工程学院获得光学工程工学博士学位，同年入职南京邮电大学通信与信息工程学院。作为项目主持人主持江苏省优秀青年基金，国家自然科学基金和江苏省自然科学基金，获得江苏省“六大人才高峰”人才计划。主要研究方向：电泵浦GaN基微盘激光器，复合微腔的非线性光学特性研究等。