兰大首页 日常安排 English

韩秀峰

【来源:物理学院 | 发布日期:2013-04-07 | 作者:null 】     【选择字号:
    韩秀峰,男,1962年生。现任中科院物理所研究员、博士生导师、物理所和北京凝聚态物理国家实验室M02课题组组长。1984年毕业于兰州大学物理系获学士学位。1990和1993年在吉林大学获硕士和博士学位。1998年至2002年分别在巴西物理研究中心、日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院,从事磁电子学和自旋电子学的研究。2000年获中科院 “百人计划”资助;2003年获国家基金委杰出青年基金资助;2007年获国家基金委创新群体基金资助;2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”。1994-2008年期间,负责和完成了国家基金委面上基金4项,基金委中爱重大国际合作基金1项,基金委中美、中英、中日国际合作交流基金各1项,科技部973项目中的课题1个,中科院二期知识创新工程重大项目中的课题1个。目前在科技部“国家重大科学研究计划”-“纳米研究计划”里,作为项目负责人承担《基于自旋和量子效应的纳米磁和半导体存储器及逻辑器件的研究》[2006-2011],同时负责基金委面上基金《有机复合磁性隧道结的微制备及其结构和物性研究》[2009-2011]。目前主要从事纳米磁性多层膜及其巨磁电阻效应(GMR)、磁性隧道结和隧穿磁电阻效应(TMR)、半金属&半导体&有机分子膜/铁磁复合隧道结(MTJ)材料、新型磁随机存取存储器(MRAM)、磁逻辑、自旋纳米振荡器、自旋微波探测器和磁敏传感器等原理型器件的物理研究。
    2000年制备出室温磁电阻比值为50%(4.2K 为70%)的当时最好水平的 Co-Fe/Al-O/Co-Fe 体系磁性隧道结;2004年和合作者制备出室温磁电阻TMR高达20%的有机LB膜复合磁性隧道结并提交了国际发明专利申请;2004年和合作者制备出4.2K 磁电阻TMR超过 9000%的 La1-xSrxMnO3 半金属复合磁性隧道结并提交了相关中国发明专利申请;2006年和合作者制备出室温磁电阻比为81%(4.2K 高于100%)的非晶金属 Co-Fe-B/Al-O/Co-Fe-B 磁性隧道结,是目前氧化铝势垒磁性隧道结材料体系中的最好水平。已在SCI收录的国际学术杂志上发表学术论文130余篇;2003年以来与合作者一起提交中国发明专利申请40余项,已获授权15项;提交国际发明专利申请4项,已获授权1项;与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存储器(MRAM)原理型器件、四种磁电阻磁敏传感器原理型器件。