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物理学院“格致·创新”论坛第十四期——陈宝钦研究员

【来源:物理学院 | 发布日期:2018-05-11 | 作者:null 】     【选择字号:

应物理科学与技术学院和萃英学院邀请,中科院微电子所陈宝钦研究员来访我院并做客“格致·”论坛第十四期。欢迎广大师生届时参加!

题目:微电子技术及微光刻电子束光刻发展与展望

时间:2018年5月15日(星期二)上午9:30

地点:格致楼3016报告厅

摘要:

1、微光刻技术的发展历程。光学光刻技术,光学光刻分辨率增强技术,光学光刻如何一次又一次突破光刻分辨率极限,达到亚十纳米尺度。

2、电子束光刻技术。电子束光刻极限在纳米CMOS集成电路研制和微纳米加工技术中的应用,电子束光刻工艺技术,电子抗蚀剂工艺技术,微纳加工数据处理技术。

3、微电子技术的发展与展望。中国集成电路制造业的发展,微纳米加工技术逼近工艺极限,微电子器件结构逼进物理极限及摩尔定律面临失效后,微电子技术去向何方?深化摩尔、拓展摩尔和超越摩尔。

主讲人简介:

陈宝钦研究员,博士生导师,1942年生于福建省福州市,1966年毕业于北京大学物理系,1968-1985年任职于中国科学院半导体研究所,1986年至今于中国科学院微电子研究所。兼职中国科学院大学(国科大)教授;北京电子学会半导体专业委员会副主任、制版分会主任;全国半导体设备与材料标准化技术委员会副主任、微光刻分委会秘书长;全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组副秘书长,计量与测试技术工作组委员;中国科学院老科技工作者协会理事、微电子分会理事长、科学讲师团成员;创新创业iCAN讲师团成员;中国科学院大型仪器设备研发监理,中国科学院重庆绿色智能技术研究院学术委员会委员。

多年来一直从事光掩模与先进掩模制造技术、电子束光刻技术、微光刻与微纳米加工技术研究和开发工作。在参加和合作开展的各项科研活动中获多项科技奖,分别于1979年至2013年间先后获国家技术发明奖二等奖两项、国家科技进步奖三等奖一项;航天科工集团、北京市和中国科学院科技进步奖一等奖五项、二等奖六项。2017年获中国科学院教育教学成果奖特等奖。由于在各项科研工作中做出了贡献被中共中央国家机关工作委员会授予优秀共产党员称号;国务院电子办授予全国电子信息先进工作者称号;中国科学院授予做出突出贡献研究员称号。先后为《中国大百科全书》、《现代高技术丛书》、《世界最新集成电路》、《半导体科学技术》、《集成电路工业全书》和中国科学院《高技术发展报告》撰稿人。受国家技术监督局委托负责主持起草并制定多项微光刻技术国家标准。先后发表专业论文百余篇。