近日，甘肃省人民政府正式发文《甘肃省人民政府关于2024年度甘肃省科学技术奖励的决定》（甘政发[2025]29号），我院田永辉教授牵头完成的项目《氮化硅-薄膜铌酸锂异质集成光电子芯片》荣获甘肃省科技进步奖一等奖，获奖编号：2024-J1-004。

习近平总书记指出，光电子信息产业是应用广泛的战略高技术产业，也是我国有条件率先实现突破的高技术产业。光电子芯片（Optoelectronic Chip）是一种将光子器件和电子器件集成在一起的信息处理芯片，能够在光信号和电信号之间进行高效转换、处理和传输。它是现代通信、计算、传感等领域的核心组件，尤其在高速数据传输（如光通信）和新兴技术（如光计算、量子信息）中发挥着关键作用。本次获奖项目属于集成光电子芯片领域，依托兰州大学、中电万维信息技术有限责任公司和上海交通大学等单位完成。

铌酸锂具有突出的电光、声光、光学非线性效应和较高的居里温度，是实现集成光电子芯片的理想材料，被誉为“光学硅”。然而，铌酸锂的物理化学惰性使其刻蚀工艺和规模集成面临较大的困难与挑战。田永辉教授团队在国际上率先开展氮化硅-薄膜铌酸锂异质集成光电子芯片研究，取得了新工艺、新器件、新应用、新效益等一系列创新成果。团队聚焦薄膜铌酸锂芯片的规模化集成技术研发和高性能光电子器件及其应用研究，创新性地开发了氮化硅-薄膜铌酸锂异质集成技术，攻克薄膜铌酸锂的加工与微纳光场调控难题；研发了多维片上光学复用器件及系统，成倍地提升通信信道容量；开发了高速有源器件及其集成系统等一系列光电子芯片，拓展调制器及其集成系统性能边界和应用领域。

项目主要完成人员还包括我院青年研究员肖恢芙、袁明瑞、萃英博士后蒋永恒等。