应学校邀请，中国科学院物理研究所王鼎盛院士6月9日来我校访问，期间先后为我校师生举行了题为 “磁性物理研究和信息存储技术的革命”、“中子散射、固体物理及中国的散裂中子源工程”的报告。

在首讲报告中，王鼎盛院士首先介绍了磁性材料的科学原理，列举了过去50年磁性材料存储密度革命性的发展历程，阐述了磁性物理研究对信息存储技术的发展所作的贡献，并从技术分析的角度进行了科学预测，论证了未来信息存储密度是否还能继续提高一百万倍，把每个信息存储单元减小到数个原子大小的可能性。王鼎盛院士深入浅出的语言描述和形象化的图表展示，使大家深切体会到科技进步对人类生活的巨大影响和重要作用。在随后主要面向物理学院师生的报告中，王院士介绍了国际中子源的主流发展、地理分布，对世界上目前六台散裂源的产生背景及因此而诞生的一系列科技成果作了详细阐述，最后通过图片资料等对中国的散裂中子源工程的进展情况作了详细讲解，并一再鼓励在座的师生积极投入到中国的散裂中子源工程建设事业中！两场报告会结束前，王鼎盛院士均与在场师生进行了热烈的交流讨论。