主讲人：于国强 研究员（中国科学院物理研究所）
题目：磁畴“光刻”及其在磁斯格明子器件制备中的应用
时间：2024年10月25日（周五） 下午15：30
地点：理工楼1226会议室
邀请人：崔宝山 魏晋武
报告摘要：
基于电子自旋的独特属性而精心设计的自旋电子器件，正逐步展现出在信息存储与处理领域的广泛应用前景。为实现器件的性能飞跃，人们正不懈探索新型自旋电子材料，并致力于新概念器件的创新开发，旨在显著降低器件的能耗，同时提升其操作速度与集成密度。本报告将介绍团队近期开发的磁畴“光刻”技术，以及如何利用该技术制备新型的自旋电子器件，并围绕当前自旋电子学研究中亟待攻克的关键问题进行探讨。
个人简介：
于国强，中国科学院物理研究所研究员、博士生导师、实验室副主任、M02课题组长。2012年7月于中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室获凝聚态物理理学博士学位。2012年至2017年在加州大学洛杉矶分校(UCLA)从事博士后工作。2017年10月加入中国科学院物理研究所。获得中组部青年人才项目和中科院人才项目支持。获得2022年度中国电子学会先进工作者。获得中国科学院物理研究所2021年春季“科技新人奖”。主要致力于研究低功耗和高性能的新型自旋电子材料和器件。至今已经在Science、Science子刊、Nature子刊、Advanced Materials、Nano Letters、Physical Review Letters等国际重要期刊上发表学术论文200余篇，引用超过1.3万余次；获中国发明和国际专利授权20余项。担任中国电子学会应用磁学分会委员、副秘书长。担任低温物理专业委员会委员。担任中国材料研究学会纳米材料与器件分会理事会理事、副秘书长。被聘任为《金属学报》首届青年编委委员，四刊（Chinese Physics Letters, Chinese Physics B,《物理学报》和《物理》）联合青年编委。
