主讲人：陈宫 教授（南京大学）

题目：薄膜体系手性磁结构的拓扑数调控

时间：2024年11月25日（周一）上午10：00

地点：格致楼4022会议室

邀请人：于东星

报告摘要：

磁斯格明子和反斯格明子等拓扑磁结构因其拓扑非平庸的自旋织构而备受关注，其特有的拓扑数Q是决定其拓扑性质的关键参数。由于手性的不变性，通常认为在 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用(DMI)环境下，单个磁孤子的拓扑数Q是守恒的，且难以改变。

在本次报告中，我将介绍如何利用自旋极化低能电子显微镜(SP-LEEM)，在DMI体系中实现面内本征磁手性，从而可以对拓扑数Q = 0.5 的meron进行调控 [H. Niu ... G. Chen*, Nat. Commun., in press]，以及在非均匀DMI体系中实现拓扑数Q > 1且可变的稳定自旋结构 [H. Niu ... G. Chen*, under review]。

个人简介：

陈宫，南京大学物理学院教授。2005年于兰州大学物理学院获得学士学位；2011年于复旦大学物理系获得博士学位；之后分别在劳伦斯伯克利国家实验室、加州大学戴维斯分校、乔治城大学从事研究。主要研究方向：基于自旋极化低能电子显微镜的拓扑磁结构及手性稳定机制的探索和调控。相关研究成果以第一/通讯作者发表在Nat. Mater., Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. X, Sci. Adv., Nat. Comm., Adv. Mater., Nano Lett.等杂志。