主讲人：陈爱天 教授（电子科技大学）

题目：电控磁性隧道结研究

时间：2024年12月11日（周三）15：00

地点：理工楼1318会议室

邀请人：张森富

报告摘要：

磁性隧道结是自旋电子学的核心器件，在磁性存储器、自旋逻辑器件等方面都有重要应用。磁性隧道结是两层磁性层中间夹一非磁性绝缘层的三明治结构，调控磁性层的磁矩取向能够调控磁性隧道结的电阻。目前主要利用电流，通过自旋轨道力矩效应来实现对磁性隧道结的调控，但电流密度高（10⁶ ~ 10⁷ A/cm²）带来的高能耗难题是其发展瓶颈。为此，我们结合拓扑绝缘体和磁性隧道结构建了拓扑自旋存储原型器件，将自旋轨道力矩的室温翻转电流密度降低至1.2 × 10⁵ A/cm²；同时，我们构建了基于反铁磁面外自旋的垂直磁性隧道结，实现了无外场条件下的高效数据写入。另一方面，我们结合磁性隧道结和铁电材料，基于磁电耦合效应，通过调控磁各向异性得到磁矩翻转，实现了室温、零磁场下电场调控磁性隧道结，开发了电场驱动型磁电存储原型器件。相关研究为发展低能耗自旋电子器件提供了参考。

个人简介：

陈爱天，电子科技大学物理学院教授、博士生导师。2011年6月于兰州大学物理科学与技术学院获得学士学位，2017年1月于清华大学物理系获得博士学位，2017年4月到阿卜杜拉国王科技大学，先后担任博士后、研究科学家，2024年4月加入电子科技大学物理学院。主要从事自旋电子学研究，研究兴趣包括多铁异质结构、磁电耦合效应、磁性隧道结、电场调控磁性等，相关成果以第一/通讯作者发表于Sci. Adv.，Nat. Commun. (2 篇)，Adv. Mater. (4 篇)，Adv. Funct. Mater. (2 篇)等期刊。