主讲人：李卫胜 副教授（南京大学）

题目：后硅时代1 nm节点高性能MoS₂晶体管器件

时间：2025年6月16日（周一）下午15：00

地点：格致楼3022

邀请人：盛鸿伟

报告摘要：

接触栅间距（CGP）代表了集成电路中晶体管技术的先进节点水平。国际器件与系统路线图（IRDS）要求到2031年，晶体管的CGP需要微缩至40 nm，栅极长度和接触长度需要微缩至20nm以下，才能满足1nm节点的要求。然而硅基材料由于材料自身的限制无法满足该目标。目前，二维半导体晶体管在如此极限尺寸下存在接触电阻高，器件性能差的问题，同时满足1 nm节点尺寸和性能要求的晶体管器件尚未突破。针对该挑战，我们突破了1 nm节点晶体管的欧姆接触技术，打破了二维半导体器件在极限接触长度下的超低接触电阻记录。通过器件尺寸微缩和工艺优化，国际首次研制出CGP低至40 nm的高性能二维半导体晶体管，器件在性能-功耗-尺寸的标准评价体系中PPA可满足1 nm节点晶体管的目标，展示出二维半导体在路线图终点的卓越缩放潜力。

个人简介：

李卫胜，南京大学集成电路学院副教授，博士生导师，国家级青年人才。主要从事高性能低功耗二维半导体器件和集成相关研究，在国际上首次实现1 nm等效氧化层厚度栅介质层集成及低功耗二维CMOS器件、接近量子极限的欧姆接触及高性能二维半导体晶体管等突破性成果。迄今在Nature、Nature Nanotechnology、Nature Electronics、IEEE IEDM等高水平期刊发表论文30余篇，5篇入选ESI高被引/热点论文，论文总引用2700余次，相关成果两次入选中国半导体十大研究进展。获中国电子学会优秀博士论文、2DM新锐青年科学家奖、小米青年学者-科技创新奖等荣誉。