主讲人：朱礼军 研究员 （中国科学院半导体研究所半导体芯片物理与技术全国重点实验室）

题目：垂直自旋器件的翻转机制

时间：2026年5月22日（星期五）上午10：30

地点：理工楼1318

邀请人：席力 刘小晰

报告摘要：

基于自旋轨道矩效应（Spin-orbit torque）的第三代自旋电子学器件被认为是后摩尔时代“存储墙”和“功耗墙”瓶颈最有前景的解决方案之一。然而，垂直自旋器件的翻转机制不明，限制了其速度、功耗、集成密度等提升。本报告将探讨手性成核翻转^[1-4]、垂直自旋驱动的全电翻转^[5-7]等垂直自旋器件新机制的最新研究进展。

[1] L. Zhu*, Adv. Mater. 35, 2300853 (2023).

[2] X. Yin, …, L. Zhu*, Chin. Phys. Lett.42,110703 (2025), Express letter

[3] G. Han, L. Zhu* et al, Adv. Funct. Mater.12, e23908 (2025)

[4] Q. Liu, L. Zhu*, Nat. Commun. 15, 2978 (2024)

[5] Q. Liu, L. Zhu*, Adv. Mater. 15, 2978 (2024).

[6] Q. Liu, L. Zhu*, Adv. Sci. 12, e07581(2025).

[7] Z. Song, …, L. Zhu*, Adv. Funct. Mater. 36, e74926 (2026).

个人简介：

朱礼军，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师、“先进自旋存储原理与器件“课题组组长和半导体芯片物理全国重点实验室副主任。2014年博士毕业于中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室（导师：赵建华研究员），随后在美国康奈尔大学等从事博士后研究（合作导师：R.A. Buhrman教授和D.C. Ralph教授），入选中科院”百人计划“和国家海外高层青年人才计划（第17批），2026年获得中国科学院高层次引进人才计划项目终期评估优秀。长期从事第三代硅基自旋芯片机制研究，在PRL、Nature/Science子刊、Advanced Materials等发表高水平论文90余篇，在领域内国际顶级学术会议做特邀报告20余次。现任中国物理学会低温物理专业委员会委员、《npj Spintronics》副主编、《Communications Materials》编委和《半导体学报》编委等。