主讲人: 熊锐 教授（武汉大学）
题目：新型磁存储材料自旋输运研究
时间：2026年6月5日(周五) 19:00-20:00
地点：榆中校区天山堂B602
邀请人：王建波、刘小晰
报告摘要：
面向后摩尔时代人工智能、大数据产业对存储芯片低功耗、高速率、高密度的迫切需求，传统存储器件受冯・诺依曼存储墙制约，MRAM成为新一代非易失存储的优选方案。本报告围绕新型磁存储自旋输运材料开展研究，系统介绍课题组在自旋流调控、反常自旋输运、轨道输运、磁子输运方向的工作：在Pt/A1‑FePt磁性异质结中发现高质量外延界面协同磁性增强电荷-自旋转换效率；在低对称单斜材料体系WO2实现非常规面外极化自旋流；发现反铁磁NiO可实现多极化轨道流长程输运行为；在非共线反铁磁Mn3Pt中首次实验观测磁子霍尔效应。
个人简介：
熊锐，武汉大学物理科学与技术学院教授，博士生导师。 1989年本科毕业于武汉大学物理系，1999年获华中科技大学微电子学与固体电子学博士学位，2003-2004年为加拿大Guelph大学访问学者，曾任国家自然科学基金委流动编制项目主任。主要研究方向为自旋电子学与新型磁存储器件的研究，以及热电材料的热电输运机理与服役行为的研究。目前主持和承担的主要项目有：国家自然科学基金联合基金重点项目，国家自然科学基金重大科研仪器研制项目，国家科技部重大专项课题负责人等主持国家科技部重大专项课题，在PRL，NC, AM, PRB 等重要学术期刊上发表学术论文200余篇。
