主讲人: 闫小兵 教授（河北大学）
题目：外延铪基铁电生长与存算一体研究
时间：2026年7月13日（星期一）下午16：00
地点：格致楼4018
邀请人：李颖弢
报告摘要：
铪基铁电材料兼具优异的尺寸缩放能力和良好的 CMOS 工艺兼容性，是新一代非易失性存储、铁电晶体管及智能信息器件的重要候选体系。然而，其铁电正交相具有热力学亚稳特征，外延薄膜中的相选择、界面重构、电荷转移及高极化形成机制仍是制约性能提升和物理认知深化的关键问题。本报告围绕外延铪基铁电薄膜的可控制备与内在物理机制展开，系统介绍界面终止、层间电荷调控和多层超晶格等异质结构设计对 Hf0.5Zr0.5O2 等系列铁电相稳定性的作用规律。相关工作从外延生长、界面工程到极化增强机制建立了较为系统的认识，为高性能铪基铁电器件及后续智能芯片应用奠定了重要物理基础。
个人简介：
闫小兵教授，国家重大人才特聘教授、国家重点研发计划首席科学家。现任河北大学研究生院院长、河北省团委副书记（兼职）。长期致力于新型半导体材料、忆阻器、铪基铁电材料、类脑智能芯片及算法优化等前沿领域研究。曾获全国颠覆性技术创新大赛最高奖、河北省自然科学一等奖、教育部自然科学二等奖。主持国家重点研发计划、国家自然科学基金等国家级项目十余项。在半导体材料与逻辑器件领域具有广泛的国际影响力。近年来，团队在 Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances、Physical Review Letters、Advanced Materials 等国际高水平期刊发表论文 100 余篇。围绕智能器件与芯片级应用，团队先后实现了面向实时机器人导航的忆阻交叉阵列随机神经—模糊硬件系统，提出了集成物理不可克隆函数与真随机数发生器的忆阻器存算一体联邦学习芯片，并在铁电薄膜界面电荷转移调控、忆阻器物理特征学习及高可靠神经元器件等方面取得重要进展。
