主讲人：林乾乾 教授（武汉大学）

题目：新型半导体材料光电表征及器件设计

时间：2022年05月30日下午15：00-16：00

地点：腾讯会议号：334-815-074

邀请人：靳志文

报告摘要：

近几年，有机半导体、量子点和钙钛矿等新型半导体材料被广泛的研究。由于其柔性、廉价和性能易调控等优点，基于这些新材料的光电器件也取得了日新月异的进展，比如薄膜太阳能电池、发光二极管、场效应管、光电探测器和记忆储存器件等。相比于硅、锗和砷化镓等传统的无机半导体，新型半导体一般更无序和复杂多变，对其光电性能还缺乏系统性认识，对于结构-性能关系的研究和器件设计的探索也显得极为迫切和重要。本人近几年的研究主要集中在新型半导体材料的光电表征上，尤其是半导体内载流子的产生、输运、复合、注入和抽取，还有界面层的调控等核心过程。通过对这些表征结果的分析和理解，进一步应用于相应的器件设计、模拟和优化上。本次报告，首先介绍和比较几种常用的光电表征方法，包括瞬态和稳态的电学表征，还有常用的几种光谱学表征技术。之后简单介绍些本人对于光电器件设计方面的理解，这些会以薄膜太阳能电池和光电探测器来举例说明。

个人简介：

林乾乾，男，武汉大学教授/博士生导师，博士毕业于澳大利亚昆士兰大学有机光电子中心，之后在英国牛津大学物理系从事博士后研究。2017年回国入职武汉大学物理科学与技术学院，先后获批国家高层次海外引进人才青年项目、湖北省青年百人等荣誉。主要从事半导体材料光电表征和器件物理的研究，包括钙钛矿光电探测器，发光二极管和场效应管等，以第一或通讯作者（含共同）在Nature Photonics , Nature Energy, Matter, Applied Physics Reviews , Nature Communications , Advanced Materials, Advanced Functional Materials 和Advanced Energy Materials等权威期刊发表SCI论文50余篇，文章总引用达5000余次。