主讲人：陈玉萍 教授（上海交通大学）

题目：铌酸锂基有源芯片

时间：2024年7月19日（周五）上午11：00

地点：理工楼1226会议室

邀请人：袁明瑞

报告摘要：

相比于硅，磷化铟，氮化硅等半导体材料，铌酸锂在非线性、电光、声光、压电等表现出优良的物理特性。薄膜铌酸锂结合了铌酸锂优异的光学性能和薄膜的集成潜力，近年来成为集成光学研究的重要平台。而随着铌酸锂薄膜（LNOI）的商用化和其制作工艺的日趋成熟，借助于微腔共振和高Q因子的放大，微纳米结构对光场的高度局域等物理机制，片上铌酸锂薄膜微纳光子器件成为了近年来光电子集成领域的研究热点。本报告将基于铌酸锂薄膜片上光子晶体微腔，微盘腔，圆形以及跑道型结构微环,以及MMI结构等，讨论基于光学共振腔中实现增益介质受激放大，非线性增强效应，自发准相位匹配（SQPM）以及高阶光力振荡等的物理机制；探讨各参数对微腔Q值, 波导损耗等器件性能的影响，以及增益介质掺杂浓度对量子发光效率的影响。最后讨论了在光电融合背景下铌酸锂基有源光子器件的片上集成应用前景。

个人简介：

陈玉萍，教授，博士生导师。美国Rochester大学光学系博士后（导师R.W. Boyd）。2012年入选“上海交通大学晨星学者奖励-A计划”。目前为美国光学学会，中国物理学会及光学学会会员，基础光学委员会委员，曾为中国光学学会青年工作委员会主席团成员；卓越期刊COL 杂志TE。国家自然基金，重点研发计划及各省市科研项目评审人。课题研究方向为非线性光学与微纳光子学, 飞秒激光微纳制造。研究成果在Laser & Photonics Reviews，Photonics Research, Sci. China-Phys. Mech. Astron.，ACS Photonics, APL Photonics等物理和光学领域国际重要刊物上发表论文100多篇，引用近2500次。