11月14日上午8：30，2020年磁学与磁性材料教育部重点实验室学术报告在城关校区格致楼3016举行。罗洪刚院长和薛德胜教授分别代表物理科学与技术学院和磁学与磁性材料重点实验室向各位专家和代表致欢迎辞。参会者有学术报告人，南京大学丁海峰教授、中国科学院物理研究所刘恩克研究员、中国科学院半导体研究所赵建华研究员、中国科学院物理研究所蔡建旺研究员和国内从事相关研究的专家学者；磁学与磁性材料教育部重点实验室的部分师生。

 会上，刘恩克介绍了磁性Weyl半金属(WSMs)，它作为一种拓扑物理状态引起了人们对低功耗电子器件凝聚态物理和拓扑量子计算的兴趣。并且准二维Kagome晶格磁性WSM候选材料Co₃Sn₂S₂，具有手征反常诱导的负磁电阻、巨大的AHE和ANE效应，显示出了促进拓扑自旋的潜力。与此同时刘恩克对Co₃Sn₂S₂纳米器件的输运特性进行了研究，而且成功利用微加工技术制备了厚度为180~30 nm的纳米器件。薄膜显示出稳定的面外铁磁性和增强的AHE效应，其反常霍尔电导率、霍尔角和矫顽力分别为1500S/cm、23%和5T。而磁性Weyl半金属Co3_Sn₂S₂可以提供理想的拓扑输运行为。

赵建华讲解了半导体自旋电子学相关的内容，其目的在于利用半导体中的电子自旋自由度代替传统的电子电荷自由度进行数据加工处理、存储及传输，研发新一代超高速、低功耗、非易失性的多功能器件，为未来信息技术发展提供全新途径。其团队介绍了最近在磁性半导体、铁磁/半导体异质结构这两类重要的半导体自旋电子学材料方面有相应的科研进展，以及还讲述了强自旋一轨道耦合的lll-V族窄禁带半导体低维纳米结构方面相关的工作结果。

蔡建旺对非磁金属和磁性金属中的前沿内容进行了报告。具体内容有，由于自旋一轨道耦合分别出现了自旋霍尔效应和反常霍尔效应，两者被认为物理根源完全一致；当纯自旋流注入非磁金属和磁性金属中，均产生逆自旋霍尔效应，电荷流、自旋流方向以及自旋流的极化方向两两垂直。并且提出问题，磁性金属中的逆自旋霍尔效应与其自身的磁化方向存在关联性吗?磁性金属中的逆自旋霍尔效应就是其反常霍尔效应的逆效应吗？磁性金属的逆自旋霍尔效应能在多大程度上被调控?围绕以上内容蔡建旺介绍了他近五年的研究结果。

丁海峰介绍了与量子效应相关的器件科研进展，并且表示随着现代器件制备技术的高速发展，其尺寸已到达纳米尺度并接近其极限，与此同时，量子效应也随之显现并对器件功能产生影响。因此，探讨新的器件制备方案、探索量子效应并加以充分利用成为当今科学研究的前沿方向之一。丁海峰介绍了利用低温扫描隧道显微镜在量子尺寸效应研究方面进展，主要包含四个方面的工作：利用量子效应对原子扩散行为和自组装的人工调控、利用量子约束效应实现对随机涨落的抑制、对近藤效应的调控，以及在原子尺度上逻辑器件的制备。以上每个方面的工作都有十分重要的科研意义和研究价值，可以加深对量子效应的理解和应用。

会后，参会老师合影留念。